Аннотация
Вычислительная схема теории функционала плотности с обменно-корреляционным потенциалом Бекке-Ли-Янга-Парра в базисе типа STO-3G применена к расчету плотностей электронных состояний наночастиц графеноводородов и боронитридводородов как идеальных, такисдефектами замещения(С2)m×m на (BN)m×m и наоборот, ненарушающими точечную симметрию наночастиц. Показано,что ширину зоны запрещенных энергий Δεg можно варьировать а) для бездефектных структур путем изменения размера n×n наночастицы (от 1.4эВ до почти нулевых значений для графеноводородов и от 7.1эВ до 4.5эВ для боронитридводородов), б) для структур фиксированных размеров с дефектами путем изменения размера m×m дефекта (например, для наночастиц из 12×12 элементарных двухатомных ячеек: от 0.1 эВ до 0.24 эВ для графеноводородов и от 5.1 эВ до 0.4 эВ для боронитридводородов). Соответствующие зависимости Δεg(n) и Δεg(m) позволяют проводить целенаправленный поиск графеноводородных и боронитридводороных наночастиц с требуемой шириной области запрещенных энергий.