Наноструктуры. Математическая физика и моделирование, 2017, том 16, №1, 41–58

Н.А. Дюжев, Е.Э. Гусев, П.Ю. Глаголев

Численное моделирование термического напряжения при формировании мембранных микро-электромеханических структур на базе пакетов программ TCAD и COMSOL Multiphysics

Ключевые слова: Численное моделирование, термическое напряжение, TCAD, COMSOL Multiphysics

Аннотация

Представлен результат моделирования термического напряжения в диэлектрической мембране на кремниевой подложке в среде TCAD. Показана эпюра напряжений. Продемонстирован маршрут формирования МДП транзистора, выходная и проходная характеристика, наглядно иллюстрируется распределение механических напряжений в МЭМС устройстве. В среде COMSOL Multiphysics сделано моделирование системы Si подложка - плёнка. Наглядно показана корреляция численного моделирования в программных средах и аналитического расчёта.

[ Полный текст статьи ]

---

Nanostructures. Mathematical physics and modelling, 2017, vol 16, №1, 41–58

N.А. Djuzhev, E.E. Gusev, P.U. Glagolev

Numerical simulation of thermal stress in microelectromechanical structures with software package TCAD and COMSOL Multiphysics

Keywords: Numerical simulation, thermal stress, TCAD, COMSOL Multiphysics

Abstract

It shows the result of thermal stress simulation dielectric membrane on a siliconsubstrate in TCAD environment. It is shown that stress diagram. Demonstrated route formationof MDS transistor, and the output and transfer characteristic, evidently illustrated the distributionof mechanical stresses in the MEMS device. In an environment made COMSOL Multiphysicsmodeling of the Si substrate - film. It demonstrates the correlation of numerical modeling insoftware environments and the analytical calculation.

[ Full text ]

---