Перейти к: навигация, поиск

Наноструктуры. Математическая физика и моделирование, 2020, 20, №1, 46–56

Е.Р. Бурмистров, М.М. Афанасова

Изучение квантового времени в гетероструктуре INAS/ALSB с одной и двумя заполненными подзонами

Ключевые слова: время релаксации, уровни Ландау, гетероструктуры, межподзонное рассеяние, шероховатости, квантование.

Аннотация

Статья посвящена исследованию механизмов рассеяния носителей заряда в гетероструктуре InAs/AlSb. Целью статьи является разработка и дополнение существующей теории, которая в полной мере описывает квантово-механические процессы в изучаемых структурах. Основное содержание исследования составляет анализ квантово времени релаксации, формирующийся по двум независимым каналам внутри – и межподзонного рассеяния. Проведённый расчёт квантового времени показал, что разработанная теория учитывает рассеяние двумерных носителей в активном слое InAs на шерохова- тостях гетерограницы. Вследствие того, что подвергнутые сильным магнитным полям гетероструктуры рассматривались в условиях двух заполненных подзон размерного квантования, значительное внимание уделено исследованию уширительного времени уровней Ландау. Установлено, что время межподзонной релаксации порядка 10^-15с, а квантовое время релаксации порядка 10^-14с. В качестве исследовательской задачи авторами была определена попытка получить теоретические значения квантового времени, которые в высокой степени согласуются с данными, полученными аналитически.

[ Полный текст статьи ]


Nanostructures. Mathematical physics and modelling, 2020, 20, №1, 46–56

E.R. Burmistrov, M.M. Afanasova

The study of the quantum relaxation time in the heterostructure INAS/ALSB with one and two filled subbands

Keywords: relaxation time, Landau levels, heterostructure, intersubband scattering, roughness, quantization.

Abstract

The article investigates the carrier scattering mechanisms in the heterostructure InAs / AlSb. The aim of the article is to develop and complement the existing theory, which fully describes the quantum-mechanical processes in the studied structures. The main content of the study is the analysis of the quantum relaxation time, by forming two independent channels inside – and intersubband scattering. Conducted quantum time calculation showed that developed theory takes into account the two-dimensional scattering of carriers in the active layer in InAs heterojunction roughness. Because subjected to strong magnetic fields heterostructures were considered under two filled subbands, considerable attention is given to research ushiritelnogo time Landau levels. It was found that the time of intersubband relaxation about 10^-15s, and the quantum of the order of the relaxation time 10^-14s. As the authors study the problem was determined attempt to obtain quantum theoretical values of time which are highly consistent with analytical data.

[ Full text ]