Ключевые слова: сквозные межсоединения в кремнии, микросборка, трехмерная интеграция.
Аннотация
Среди всех известных методов системной интеграции 3D-интеграция с созданием сквозных межсоединений в кремнии (TSV) является наиболее перспективной технологией, поскольку она позволяет создавать сборки самых малых размеров, при этом обеспечивая наиболее высокую плотность межсоединений и лучшую производительность. Изготовление TSV — это ключевая технология, служащая для обеспечения связи между разными слоями 3D — интегрированной системы. Обзор посвящен основным технологическим операциям изготовления TSV: плазмохимическое травление; формирование изоляционного, барьерного и зародышевого слоев; заполнение TSV металлом. Представлены требования к технологическим процессам, основные характеристики функциональных слоёв и возможные дефекты в структурах.
Keywords: TSV, microassembly, 3D integration.
Abstract
3D integration with through-silicon via (TSV) is the most promising technology among all known system-level integration methods because it allows to create assemblies with the smallest dimensions, while providing the highest density of interconnects and the best performance. TSV fabrication is the key technology to permit communications between various strata of the 3D integration system. The review focuses on the main technological operations of TSV manufacturing: deep reactive-ion etching; formation of dielectric, barrier and seed layers; TSV filling. The requirements to the process parameters, the main characteristics of the functional layers and possible defects in the structures are presented.
[ Full text ]