Ключевые слова: Диэлектрический слой, барьерный слой, зародышевый слой, электрохимическое осаждение, сквозные канавки в кремнии.
Аннотация
Среди всех известных методов микросборок трёхмерная микросборка с созданием сквозных канавок в кремнии является наиболее перспективной технологией, поскольку она позволяет создавать конструкции самых малых размеров, при этом обеспечивая наиболее высокую плотность межсоединений и лучшую производительность. Изготовление TSV — это ключевая технология, служащая для обеспечения связи между разными слоями 3D-интегрированной системы. Работа посвящена обзору основных технологических операций изготовления TSV: плазмохимическое травление; формирование изоляционного, барьерного и зародышевого слоёв; заполнение TSV металлом. Представлены требования, предъявляемые к технологическим процессам, основные характеристики функциональных слоёв, перечислены возможные дефекты структур.
Keywords: Dielectric layer, barrier layer, nucleation layer, electrochemical deposition, through vias in silicon.
Abstract
3D integration with through-silicon via (TSV) is a promising candidate to perform systemlevel integration with smaller package size, higher interconnection density, and better performance. TSV fabrication is the key technology to permit communications between various strata of the 3D integration system. TSV fabrication steps, such as etching, isolation, metallization processes, and related failure modes, as well as other characterizations are discussed in this paper.
[ Full text ]